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一种阵列式太赫兹真空二极管器件及其制造方法 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: CN201811621906.X, 申请日期: 2018-12-28, 公开日期: 2019-05-24
发明人:  阮存军;  戴军;  徐向晏;  刘虎林;  丁一坤
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一种太赫兹真空三极管及其制造方法 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: CN201811621896.X, 申请日期: 2018-12-28, 公开日期: 2019-06-07
发明人:  阮存军;  戴军;  徐向晏;  刘虎林;  丁一坤
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一种阵列式太赫兹真空三极管器件及其制造方法 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: CN201811621965.7, 申请日期: 2018-12-28, 公开日期: 2019-05-28
发明人:  阮存军;  戴军;  徐向晏;  刘虎林;  丁一坤
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High resolution electron bombareded complementary metal oxide semiconductor sensor for ultraviolet detection 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2018, 卷号: 67, 期号: 1
作者:  Liu Hu-Lin;  Wang Xing;  Tian Jin-Shou;  Sai Xiao-Feng;  Wei Yong-Lin;  Wen Wen-Long;  Wang Jun-Feng;  Xu Xiang-Yan;  Wang Chao;  Lu Yu;  He Kai;  Chen Ping;  Xin Li-Wei
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Complementary Metal Oxide Semiconductor  Electron Bombareded Gain  Low Light Level Imaging  Uv Detection