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Ⅲ族氮化物半导体激光元件、及制作Ⅲ族氮化物半导体激光元件的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102714397A, 申请日期: 2012-10-03, 公开日期: 2012-10-03
发明人:  善积祐介;  高木慎平;  盐谷阳平;  京野孝史;  足立真宽;  上野昌纪;  住友隆道;  德山慎司;  片山浩二;  中村孝夫;  池上隆俊
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III族氮化物半导体激光器元件、制作III族氮化物半导体激光器元件的方法及评估因形成刻划槽所致损伤的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102696158A, 申请日期: 2012-09-26, 公开日期: 2012-09-26
发明人:  善积祐介;  高木慎平;  池上隆俊;  上野昌纪;  片山浩二
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III族氮化物半导体激光二极管 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102460866A, 申请日期: 2012-05-16, 公开日期: 2012-05-16
发明人:  足立真宽;  德山慎司;  盐谷阳平;  京野孝史;  善积祐介;  秋田胜史;  上野昌纪;  片山浩二;  池上隆俊;  中村孝夫
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