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半导体激光装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101483318B, 申请日期: 2011-11-23, 公开日期: 2011-11-23
发明人:  藤本康弘;  中谷东吾;  高山彻;  木户口勋
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双波长半导体激光装置及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101394065B, 申请日期: 2011-11-16, 公开日期: 2011-11-16
发明人:  粂雅博;  高山彻;  高须贺祥一;  木户口勋
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氮化物半导体激光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102130424A, 申请日期: 2011-07-20, 公开日期: 2011-07-20
发明人:  佐藤智也;  中森达哉;  冈口贵大;  高山彻;  长谷川义晃
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