氮化物半导体激光装置

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	氮化物半导体激光装置
其他题名	氮化物半导体激光装置
	佐藤智也; 中森达哉; 冈口贵大; 高山彻; 长谷川义晃
	2011-07-20
专利权人	松下电器产业株式会社
公开日期	2011-07-20
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供一种氮化物半导体激光装置，其即便使激光束的功率高输出化，也能够使FFP(远视野图像)特性稳定且广角化。其具有：在n型复合层(2)之上形成的活性层(4)；形成在活性层之上，且具有沿光的射出方向延伸的剖面凸状的脊形部(6a)和位于该脊形部的两侧方的平坦部(6b)的p型复合层(6)；形成在两平坦部之上，且具有比p型复合层大的光吸收系数的光吸收层(9)；在包含光吸收层的、p型复合层的上表面及脊形部的侧面形成的绝缘膜(8)。光吸收层具有设置在射出端面侧且脊形部中心到光吸收层的脊形部侧的端面的距离为Di1的第一区域、设置在射出端面的相反侧且脊形部中心到光吸收层的脊形部侧的端面的距离为Di2的第二区域，其中Di1和Di2的关系满足Di1＜Di2。
其他摘要	本发明提供一种氮化物半导体激光装置，其即便使激光束的功率高输出化，也能够使FFP(远视野图像)特性稳定且广角化。其具有：在n型复合层(2)之上形成的活性层(4)；形成在活性层之上，且具有沿光的射出方向延伸的剖面凸状的脊形部(6a)和位于该脊形部的两侧方的平坦部(6b)的p型复合层(6)；形成在两平坦部之上，且具有比p型复合层大的光吸收系数的光吸收层(9)；在包含光吸收层的、p型复合层的上表面及脊形部的侧面形成的绝缘膜(8)。光吸收层具有设置在射出端面侧且脊形部中心到光吸收层的脊形部侧的端面的距离为Di1的第一区域、设置在射出端面的相反侧且脊形部中心到光吸收层的脊形部侧的端面的距离为Di2的第二区域，其中Di1和Di2的关系满足Di1＜Di2。
主权项	一种氮化物半导体激光装置，其特征在于，具有：形成在基板之上的第一导电性复合层；形成在所述第一导电性复合层之上的活性层；形成在所述活性层之上，且具有沿光的射出方向延伸的剖面凸状的脊形部和位于该脊形部的两侧方的平坦部的第二导电性复合层；分别形成在各所述平坦部之上，且具有相对于振荡波长比所述第二导电性复合层大的光吸收系数的光吸收层；形成在包含所述光吸收层的、所述第二导电性复合层的所述平坦部及所述脊形部的侧面的绝缘膜，所述光吸收层具有：设置在射出端面侧，且从作为所述脊形部的长度方向中的线对称轴的脊形部中心到所述光吸收层的所述脊形部侧的端面的距离为Di1的第一区域；与所述第一区域连续或隔有间隔地设置在所述射出端面的相反侧，且从所述脊形部中心到所述光吸收层的所述脊形部侧的端面的距离为Di2的第二区域，所述Di1和所述Di2的关系满足Di1＜Di2。
申请日期	2011-01-20
专利号	CN102130424A
专利状态	失效
申请号	CN201110025560.9
公开（公告）号	CN102130424A
IPC 分类号	H01S5/22 \| H01S5/323 \| H01S5/06
专利代理人	汪惠民
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66737
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下电器产业株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	佐藤智也,中森达哉,冈口贵大,等. 氮化物半导体激光装置. CN102130424A[P]. 2011-07-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102130424A.PDF（2443KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文