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氮化物半导体激光元件及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1983751B, 申请日期: 2010-06-16, 公开日期: 2010-06-16
发明人:  川上俊之;  山崎幸生;  山本秀一郎
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