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半导体激光器温度特性参数即升即测测试装置及方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100545665C, 申请日期: 2009-09-30, 公开日期: 2009-09-30
发明人:  马建立;  钟景昌;  郝永芹;  赵英杰;  史全林;  李海军
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一种半导体激光器腔面钝化方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101394062A, 申请日期: 2009-03-25, 公开日期: 2009-03-25
发明人:  乔忠良;  薄报学;  高欣;  胡源;  么艳萍;  王玉霞;  刘春玲;  李辉;  卢鹏;  曲轶;  马建立
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大出光孔垂直腔面发射半导体激光器的多芯电注入结构 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100456584C, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-01-28
发明人:  郝永芹;  马建立;  钟景昌;  赵英杰;  王晓华;  乔忠良
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