大出光孔垂直腔面发射半导体激光器的多芯电注入结构

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	大出光孔垂直腔面发射半导体激光器的多芯电注入结构
其他题名	大出光孔垂直腔面发射半导体激光器的多芯电注入结构
	郝永芹; 马建立; 钟景昌; 赵英杰; 王晓华; 乔忠良
	2009-01-28
专利权人	长春理工大学
公开日期	2009-01-28
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	大出光孔垂直腔面发射半导体激光器的多芯电注入结构属于半导体激光器件技术领域。现有技术因载流子聚集效应以及趋肤效应，使得注入电流强度以及发光强度不均匀，器件性能和寿命受到影响。本发明之多芯电注入结构位于布拉格反射镜中的高铝层，在环形沟槽及其两侧的氧化物限制区所包围的区域内均匀分布若干个分立电流注入区，这些分立电流注入区由分布于该区域内的多条沟槽及其两侧的氧化物限制区或者多个孔穴及其周围的氧化物限制区所分隔。从而可以在加大出光孔径或者采用短脉冲驱动以提高器件功率时，避免或者弱化上述效应对器件性能和寿命造成的不利影响。本发明可应用于半导体激光器教学、研究和生产领域。
其他摘要	大出光孔垂直腔面发射半导体激光器的多芯电注入结构属于半导体激光器件技术领域。现有技术因载流子聚集效应以及趋肤效应，使得注入电流强度以及发光强度不均匀，器件性能和寿命受到影响。本发明之多芯电注入结构位于布拉格反射镜中的高铝层，在环形沟槽及其两侧的氧化物限制区所包围的区域内均匀分布若干个分立电流注入区，这些分立电流注入区由分布于该区域内的多条沟槽及其两侧的氧化物限制区或者多个孔穴及其周围的氧化物限制区所分隔。从而可以在加大出光孔径或者采用短脉冲驱动以提高器件功率时，避免或者弱化上述效应对器件性能和寿命造成的不利影响。本发明可应用于半导体激光器教学、研究和生产领域。
授权日期	2009-01-28
申请日期	2006-08-02
专利号	CN100456584C
专利状态	失效
申请号	CN200610104150.2
公开（公告）号	CN100456584C
IPC 分类号	H01S5/183
专利代理人	曲博
代理机构	中国兵器工业集团公司专利中心
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41595
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	长春理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	郝永芹,马建立,钟景昌,等. 大出光孔垂直腔面发射半导体激光器的多芯电注入结构. CN100456584C[P]. 2009-01-28.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN100456584C.PDF（352KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文