半导体激光器温度特性参数即升即测测试装置及方法

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	半导体激光器温度特性参数即升即测测试装置及方法
其他题名	半导体激光器温度特性参数即升即测测试装置及方法
	马建立; 钟景昌; 郝永芹; 赵英杰; 史全林; 李海军
	2009-09-30
专利权人	长春理工大学
公开日期	2009-09-30
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	半导体激光器温度特性参数即升即测测试装置及方法属于激光器性能测试技术领域。已知技术之装置存在的不足主要是结构复杂。而其测试方法存在的不足是，在测试半导体激光器的温度特性时，需要对温度实施控制。本发明之装置仅由保温箱、导热媒质、加热器、待测器件、探测部件以及温度传感器组成。本发明之方法为，加热器开始持续加热，导热媒质自由升温并给半导体激光器加热，温度传感器随时检测半导体激光器的温度，探测部件时刻探测半导体激光器的温度特性，直到完成在整个温度变化范围内的测试，加热器停止加热，检测过程进入自由降温阶段，在测试过程中，在每一时刻，都取得一组温度——特性参数数据对。本发明可应用于半导体激光器教学、研究和制造领域。
其他摘要	半导体激光器温度特性参数即升即测测试装置及方法属于激光器性能测试技术领域。已知技术之装置存在的不足主要是结构复杂。而其测试方法存在的不足是，在测试半导体激光器的温度特性时，需要对温度实施控制。本发明之装置仅由保温箱、导热媒质、加热器、待测器件、探测部件以及温度传感器组成。本发明之方法为，加热器开始持续加热，导热媒质自由升温并给半导体激光器加热，温度传感器随时检测半导体激光器的温度，探测部件时刻探测半导体激光器的温度特性，直到完成在整个温度变化范围内的测试，加热器停止加热，检测过程进入自由降温阶段，在测试过程中，在每一时刻，都取得一组温度——特性参数数据对。本发明可应用于半导体激光器教学、研究和制造领域。
授权日期	2009-09-30
申请日期	2006-08-02
专利号	CN100545665C
专利状态	失效
申请号	CN200610104149.X
公开（公告）号	CN100545665C
IPC 分类号	G01R31/26 \| H01S5/00 \| H01L21/66
专利代理人	曲博
代理机构	中国兵器工业集团公司专利中心
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42511
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	长春理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	马建立,钟景昌,郝永芹,等. 半导体激光器温度特性参数即升即测测试装置及方法. CN100545665C[P]. 2009-09-30.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN100545665C.PDF（568KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文