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DBR using the combination of II-VI and III-V materials for the application to 3-55 mum 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20050243887A1, 申请日期: 2005-11-03, 公开日期: 2005-11-03
发明人:  KWON, HOKI
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InAlAs having enhanced oxidation rate grown under very low V/III ratio 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20050243881A1, 申请日期: 2005-11-03, 公开日期: 2005-11-03
发明人:  KWON, HOKI;  WANG, TZU-YU;  RYOU, JAE-HYUN;  KIM, JIN K.;  PARK, GYOUNGWON
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