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一种具有AlAs氧化层的半导体型材 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN2653692Y, 申请日期: 2004-11-03, 公开日期: 2004-11-03
发明人:  周均铭;  陈弘;  王文冲;  贾海强;  黄绮
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一种具有AlAs氧化层的半导体材料 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1536610A, 申请日期: 2004-10-13, 公开日期: 2004-10-13
发明人:  周均铭;  陈弘;  王文冲;  贾海强;  黄绮
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