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III族窒化物半導体のエピタキシャル成長方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997249499A, 申请日期: 1997-09-22, 公开日期: 1997-09-22
发明人:  橋本 忠朗;  今藤 修;  石田 昌宏;  杉野 隆
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997214048A, 申请日期: 1997-08-15, 公开日期: 1997-08-15
发明人:  橋本 忠朗;  今藤 修;  粂 雅博
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