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II-VI族化合物半導体成長用基板 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996124854A, 申请日期: 1996-05-17, 公开日期: 1996-05-17
发明人:  小沢 正文
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半導体レーザー 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996070157A, 申请日期: 1996-03-12, 公开日期: 1996-03-12
发明人:  小沢 正文;  石橋 晃
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II-VI族化合物半導体発光素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996008492A, 申请日期: 1996-01-12, 公开日期: 1996-01-12
发明人:  日野 智公;  小沢 正文
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