Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザー | |
| 其他题名 | 半導体レーザー |
| 小沢 正文; 石橋 晃 | |
| 1996-03-12 | |
| 专利权人 | ソニー株式会社 |
| 公开日期 | 1996-03-12 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 発振遅れがなく、高周波による変調が可能なII-VI族化合物半導体を用いた半導体レーザーを実現する。 【構成】 クラッド層3、7および活性層5の材料としてII-VI族化合物半導体を用いた半導体レーザーにおいて、活性層5に平行な方向における電流注入部の中心と電流非注入部との間の発振波長における有効屈折率差を1×10-3以上設けておく。あるいは、電流注入直後の発振波長における利得をgm (0)とし、レーザー共振器内の全損失をαtotal としたとき、gm (0)≧αtotalが成立する条件で電流注入を行う。 |
| 其他摘要 | 目的：使用II-VI化合物半导体实现半导体激光器，实现高频调制，无任何振荡延迟。组成：在使用II-VI化合物半导体作为包层3和7的材料以及活化层5的半导体激光器中，电流注入部分的中心之间的振荡波长的有效折射率差在一个方向上是平行于活化层5，并且电流非注入部分设置为至少1倍和10 -3倍。在将电流注入gm（0）之后立即设置振荡波长处的增益，并且在激光谐振器中将总损耗设置为α总电流，在建立gm（0）> =α总的条件下注入电流。 |
| 申请日期 | 1994-08-30 |
| 专利号 | JP1996070157A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1994228745 |
| 公开（公告）号 | JP1996070157A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 杉浦 正知 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89465 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小沢 正文,石橋 晃. 半導体レーザー. JP1996070157A[P]. 1996-03-12. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1996070157A.PDF（71KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [小沢 正文]的文章 |
| [石橋 晃]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [小沢 正文]的文章 |
| [石橋 晃]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [小沢 正文]的文章 |
| [石橋 晃]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论