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半導体レーザ装置およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995297483A, 申请日期: 1995-11-10, 公开日期: 1995-11-10
发明人:  池上 隆俊;  本多 正治;  庄野 昌幸;  廣山 良治;  茨木 晃;  吉年 慶一;  山口 隆夫
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995297482A, 申请日期: 1995-11-10, 公开日期: 1995-11-10
发明人:  別所 靖之;  庄野 昌幸;  本多 正治;  池上 隆俊;  茨木 晃;  吉年 慶一;  山口 隆夫
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光ノード素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995181528A, 申请日期: 1995-07-21, 公开日期: 1995-07-21
发明人:  山口 昌幸
Adobe PDF(23Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/31
光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP1995050808B2, 申请日期: 1995-05-31, 公开日期: 1995-05-31
发明人:  山口 昌幸
Adobe PDF(14Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：67/0  |  提交时间：2019/12/24