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Ultraviolet light emitting device and method for manufacturing same 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20190148589A1, 申请日期: 2019-05-16, 公开日期: 2019-05-16
发明人:  YAMADA, KIHO;  NAGASAWA, YOSUKE;  HIRANO, AKIRA;  IPPOMMATSU, MASAMICHI;  AOSAKI, KO
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Iii-nitride surface-emitting laser and method of fabrication 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: WO2019070719A1, 申请日期: 2019-04-11, 公开日期: 2019-04-11
发明人:  FORMAN, CHARLES;  LEE, SEUNGGEUN;  YOUNG, ERIN;  KEARNS, JARED;  DENBAARS, STEVEN P.;  SPECK, JAMES S.;  NAKAMURA, SHUJI
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发光器件 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN103187512B, 申请日期: 2019-01-15, 公开日期: 2019-01-15
发明人:  裴锡训;  崔锡范;  姜弼根;  黄德起;  韩伶妵;  崔熙石;  朴永录;  李泰暾;  吴贤成;  朱志熙;  姜东祐;  金成植
Adobe PDF(3280Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：164/0  |  提交时间：2019/12/24
Semiconductor laser device and method of fabricating the same 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8948224, 申请日期: 2015-02-03, 公开日期: 2015-02-03
发明人:  KIM, IN GYOO;  KIM, GYUNGOCK;  KIM, SANG HOON;  JOO, JIHO;  JANG, KI SEOK
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Epitaxial growth of crystalline material 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8822248, 申请日期: 2014-09-02, 公开日期: 2014-09-02
发明人:  PARK, JI-SOO
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Method of manufacturing thin-film bonded substrate used for semiconductor device 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP2669961A2, 申请日期: 2013-12-04, 公开日期: 2013-12-04
发明人:  KIM, DONGHYUN;  KIM, DONG-WOON;  KIM, MIKYOUNG;  KIM, MINJU;  KIM, A-RA;  KIM, HYUNJOON;  SHUR, JOONG WON;  WOO, KWANG-JE;  LEE, BOHYUN;  JEON, JONGPIL;  JUNG, KYUNGSUB
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Method of increasing surface hardness and case depth of a steel substrate by surface texturisation and high power diode laser hardening 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: IN256661B, 申请日期: 2013-07-12, 公开日期: 2013-07-19
发明人:  VIVEK ARYA;  BHARAT KUMAR PANT;  BALBIR SINGH MANN
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Device with Inverted Large Scale Light Extraction Structures 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20130032835A1, 申请日期: 2013-02-07, 公开日期: 2013-02-07
发明人:  SHATALOV, MAXIM S.;  DOBRINSKY, ALEXANDER;  SHUR, MICHAEL;  GASKA, REMIGIJUS
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Semi-polar nitride-based light emitting structure and method of forming same 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8330144, 申请日期: 2012-12-11, 公开日期: 2012-12-11
发明人:  STRITTMATTER, ANDRE;  JOHNSON, NOBLE M.;  TEEPE, MARK;  CHUA, CHRISTOPHER L.;  YANG, ZHIHONG;  NORTHRUP, JOHN E.
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Planarization of GaN by photoresist technique using an inductively coupled plasma 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8257987, 申请日期: 2012-09-04, 公开日期: 2012-09-04
发明人:  MOUSTAKAS, THEODORE D.;  WILLIAMS, ADRIAN D.
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