Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 发光器件 | |
| 其他题名 | 发光器件 |
| 裴锡训; 崔锡范; 姜弼根; 黄德起; 韩伶妵; 崔熙石; 朴永录; 李泰暾; 吴贤成; 朱志熙; 姜东祐; 金成植 | |
| 2019-01-15 | |
| 专利权人 | LG伊诺特有限公司 |
| 公开日期 | 2019-01-15 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本文公开了一种发光器件、发光器件封装以及发光模块。该发光器件包括：发光结构，该发光结构包括：第一导电半导体层；第二导电半导体层；以及有源层，位于第一导电半导体层与第二导电半导体层之间；支撑元件，位于该发光结构下方；反射电极层，位于第二导电半导体层与支撑元件之间；以及第一连接电极至第三连接电极，在支撑元件中彼此间隔开。第二连接电极被布置在第一连接电极与第三连接电极之间，第一连接电极和第三连接电极彼此电性连接，以及支撑元件被布置在第一连接电极至第三连接电极的外围部分。 |
| 其他摘要 | 本文公开了一种发光器件、发光器件封装以及发光模块。该发光器件包括：发光结构，该发光结构包括：第一导电半导体层；第二导电半导体层；以及有源层，位于第一导电半导体层与第二导电半导体层之间；支撑元件，位于该发光结构下方；反射电极层，位于第二导电半导体层与支撑元件之间；以及第一连接电极至第三连接电极，在支撑元件中彼此间隔开。第二连接电极被布置在第一连接电极与第三连接电极之间，第一连接电极和第三连接电极彼此电性连接，以及支撑元件被布置在第一连接电极至第三连接电极的外围部分。 |
| 授权日期 | 2019-01-15 |
| 申请日期 | 2012-12-31 |
| 专利号 | CN103187512B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201210593066.7 |
| 公开（公告）号 | CN103187512B |
| IPC 分类号 | H01L33/48 | H01L33/62 | H01L33/64 | H01S5/02 | H01S5/022 | H01S5/024 |
| 专利代理人 | 张浴月 | 李玉锁 |
| 代理机构 | 隆天知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39423 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | LG伊诺特有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 裴锡训,崔锡范,姜弼根,等. 发光器件. CN103187512B[P]. 2019-01-15. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN103187512B.PDF（3280KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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