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| 固体レーザ装置における光学部品の取付方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006351601A, 申请日期: 2006-12-28, 公开日期: 2006-12-28 发明人: 西田 麻美; 埴原 定政
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| GaN系レーザ素子 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006352159A, 申请日期: 2006-12-28, 公开日期: 2006-12-28 发明人: 近江 晋; 伊藤 茂稔; 大野 智輝; 川上 俊之
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| 半導体レーザ装置の製造方法および接合方法、並びに半導体レーザ装置 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006339511A, 申请日期: 2006-12-14, 公开日期: 2006-12-14 发明人: 今西 大介
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| 氮化镓系化合物半导体磊晶层结构及其制造方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN1877792A, 申请日期: 2006-12-13, 公开日期: 2006-12-13 发明人: 赖穆人
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| 高温激光二极管 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN1879266A, 申请日期: 2006-12-13, 公开日期: 2006-12-13 发明人: B·里德
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| オートパワーコントロール回路およびレーザダイオード制御方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006332345A, 申请日期: 2006-12-07, 公开日期: 2006-12-07 发明人: 北川 健太郎; 石橋 博人
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| 窒化物系半導体レーザ素子 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006332713A, 申请日期: 2006-12-07, 公开日期: 2006-12-07 发明人: 野村 康彦; 狩野 隆司
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| 半導体レーザ素子の製造方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006332452A, 申请日期: 2006-12-07, 公开日期: 2006-12-07 发明人: 阪田 昌彦; 横田 誠; 曽我部 隆一
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| 半導体レーザ装置およびそれを備えた光ピックアップ装置 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006324409A, 申请日期: 2006-11-30, 公开日期: 2006-11-30 发明人: 伊藤 隆; 中橋 剛朗; 高木 輝一
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| レーザ装置 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: JP3884402B2, 申请日期: 2006-11-24, 公开日期: 2007-02-21 发明人: 山本 和久; 水内 公典; 北岡 康夫; 加藤 誠
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