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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006339311A, 申请日期: 2006-12-14, 公开日期: 2006-12-14
发明人:  大郷 毅
Adobe PDF(88Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2020/01/18
半导体激光器件和光盘装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1271760C, 申请日期: 2006-08-23, 公开日期: 2006-08-23
发明人:  蛭川秀一;  河西秀典;  山本圭;  西本浩之
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氮化物半导体发光器件及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1816952A, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2006-08-09
发明人:  山本秀一郎;  小河淳;  石田真也;  神川刚
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Nitride semiconductor laser device and manufacturing method thereof 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20060165143A1, 申请日期: 2006-07-27, 公开日期: 2006-07-27
发明人:  OHNO, HIROSHI
收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2019/12/31
発光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006167305A, 申请日期: 2006-06-29, 公开日期: 2006-06-29
发明人:  濱 敦智;  林 幸宏
Adobe PDF(120Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体発光装置とその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3817806B2, 申请日期: 2006-06-23, 公开日期: 2006-09-06
发明人:  玉村 好司;  河角 孝行;  平田 照二
Adobe PDF(49Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2019/12/24
窒化物半導体レーザ光源の製造方法および窒化物半導体レーザ光源の製造装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006128629A, 申请日期: 2006-05-18, 公开日期: 2006-05-18
发明人:  谷 善彦;  小河 淳;  石田 真也
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窒化物半導体発光素子 专利
专利类型: 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 专利号: JP3801353B2, JP3801353B2, JP3801353B2, JP3801353B2, 申请日期: 2006-05-12, 2006-05-12, 2006-05-12, 2006-05-12, 公开日期: 2006-07-26, 2006-07-26, 2006-07-26, 2006-07-26
发明人:  長濱 慎一;  松下 俊雄;  中村 修二
Adobe PDF(55Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2019/12/24
半导体激光激励固体激光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1767282A, 申请日期: 2006-05-03, 公开日期: 2006-05-03
发明人:  町田久忠;  吉田宏之;  高桥广光;  西川佑司
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