Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 低V型缺陷密度的GaN基多量子阱激光器外延片及制备方法 | |
| 其他题名 | 低V型缺陷密度的GaN基多量子阱激光器外延片及制备方法 |
| 杨静; 赵德刚; 朱建军; 陈平; 刘宗顺; 梁锋 | |
| 2019-06-11 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2019-06-11 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 低V型缺陷密度的GaN基多量子阱激光器外延片及制备方法，制备方法包括：对衬底(10)进行退火及表面清洁，并在衬底(10)上依次外延生长n型GaN层(11)、n型AlGaN限制层(12)、非故意掺杂下波导层(13)、InGaN/GaN多量子阱发光层(14)、p型AlGaN电子阻挡层(15)、非故意掺杂上波导层(16)、p型AlGaN限制层(17)和p型欧姆接触层(18)，其中，InGaN/GaN多量子阱发光层(14)包括InGaN阱层和GaN垒层，生长GaN垒层时通入TMIn源，以抑制GaN垒层中V型缺陷的形成，消除InGaN/GaN多量子阱中常见的V型缺陷，从而降低器件反向漏电、减少器件吸收损耗并提高量子阱热稳定性。 |
| 其他摘要 | 低V型缺陷密度的GaN基多量子阱激光器外延片及制备方法，制备方法包括：对衬底(10)进行退火及表面清洁，并在衬底(10)上依次外延生长n型GaN层(11)、n型AlGaN限制层(12)、非故意掺杂下波导层(13)、InGaN/GaN多量子阱发光层(14)、p型AlGaN电子阻挡层(15)、非故意掺杂上波导层(16)、p型AlGaN限制层(17)和p型欧姆接触层(18)，其中，InGaN/GaN多量子阱发光层(14)包括InGaN阱层和GaN垒层，生长GaN垒层时通入TMIn源，以抑制GaN垒层中V型缺陷的形成，消除InGaN/GaN多量子阱中常见的V型缺陷，从而降低器件反向漏电、减少器件吸收损耗并提高量子阱热稳定性。 |
| 申请日期 | 2019-02-14 |
| 专利号 | CN109873299A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201910116788.5 |
| 公开（公告）号 | CN109873299A |
| IPC 分类号 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 周天宇 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92410 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨静,赵德刚,朱建军,等. 低V型缺陷密度的GaN基多量子阱激光器外延片及制备方法. CN109873299A[P]. 2019-06-11. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN109873299A.PDF（1074KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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