Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种激光外延结构及制作方法 | |
| 其他题名 | 一种激光外延结构及制作方法 |
| 田宇; 韩效亚; 吴真龙; 杜石磊 | |
| 2019-03-29 | |
| 专利权人 | 扬州乾照光电有限公司 |
| 公开日期 | 2019-03-29 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本申请提供了一种激光外延结构及制作方法，该激光外延结构中由于Al0.98Ga0.02As层与其相连的DBR反射镜层有较高的Al组分，在氧化过程中，存在一定程度的氧化，因此通过第一GaAs层和第二GaAs层使其无法被氧化，同时使界面更加清晰，氧化更均匀，降低了由于氧化不均匀对应力的影响，进而提高外延结构的特性。并且，通过加入第一AlyGa1‑yAs层和第二AlyGa1‑yAs层，0.6＜y＜0.98，不包括端点值，使其在三叉型氧化，在氧化的过程中形成三个倒角，更有利于减缓氧化速率，进而降低对其他DBR反射镜层的氧化。 |
| 其他摘要 | 本申请提供了一种激光外延结构及制作方法，该激光外延结构中由于Al0.98Ga0.02As层与其相连的DBR反射镜层有较高的Al组分，在氧化过程中，存在一定程度的氧化，因此通过第一GaAs层和第二GaAs层使其无法被氧化，同时使界面更加清晰，氧化更均匀，降低了由于氧化不均匀对应力的影响，进而提高外延结构的特性。并且，通过加入第一AlyGa1‑yAs层和第二AlyGa1‑yAs层，0.6＜y＜0.98，不包括端点值，使其在三叉型氧化，在氧化的过程中形成三个倒角，更有利于减缓氧化速率，进而降低对其他DBR反射镜层的氧化。 |
| 申请日期 | 2018-11-21 |
| 专利号 | CN109546530A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201811390740.5 |
| 公开（公告）号 | CN109546530A |
| IPC 分类号 | H01S5/183 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 王宝筠 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92362 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 扬州乾照光电有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田宇,韩效亚,吴真龙,等. 一种激光外延结构及制作方法. CN109546530A[P]. 2019-03-29. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN109546530A.PDF（551KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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