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| 一种VCSEL芯片制备方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN110190514A, 申请日期: 2019-08-30, 公开日期: 2019-08-30 发明人: 田宇; 韩效亚; 吴真龙; 杜石磊 Adobe PDF(349Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:114/0  |  提交时间:2019/12/30 |
| 一种具有高功率的VCSEL芯片及其制备方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN110165552A, 申请日期: 2019-08-23, 公开日期: 2019-08-23 发明人: 田宇; 韩效亚; 吴真龙; 杜石磊 Adobe PDF(320Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:96/0  |  提交时间:2019/12/30 |
| 一种垂直腔面发射激光器及其制备方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN110148884A, 申请日期: 2019-08-20, 公开日期: 2019-08-20 发明人: 杜石磊; 田宇; 韩效亚; 吴真龙 Adobe PDF(1203Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:92/0  |  提交时间:2019/12/30 |
| 垂直腔面发射激光器外延结构及其制备方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN109728502A, 申请日期: 2019-05-07, 公开日期: 2019-05-07 发明人: 田宇; 韩效亚; 吴真龙; 杜石磊 Adobe PDF(688Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:60/0  |  提交时间:2019/12/30 |
| 一种VCSEL芯片及其制作方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN109616871A, 申请日期: 2019-04-12, 公开日期: 2019-04-12 发明人: 田宇; 韩效亚; 吴真龙; 杜石磊 Adobe PDF(553Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:78/0  |  提交时间:2019/12/30 |
| 一种激光外延结构及制作方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN109546530A, 申请日期: 2019-03-29, 公开日期: 2019-03-29 发明人: 田宇; 韩效亚; 吴真龙; 杜石磊 Adobe PDF(551Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:69/1  |  提交时间:2020/01/18 |
| 低线宽的980nm F-P腔应变量子阱激光器的外延片 专利 专利类型: 实用新型, 专利号: CN202817486U, 申请日期: 2013-03-20, 公开日期: 2013-03-20 发明人: 张帆; 韩效亚; 杜石磊; 林晓珊; 叶培飞; 占荣; 耿松涛; 张双翔 Adobe PDF(658Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:85/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 低线宽的980nm F-P腔应变量子阱激光器的外延片及其制备方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN102780159A, 申请日期: 2012-11-14, 公开日期: 2012-11-14 发明人: 张帆; 韩效亚; 杜石磊; 林晓珊; 叶培飞; 占荣; 耿松涛; 张双翔 Adobe PDF(1015Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:68/0  |  提交时间:2020/01/18 |