硅/石墨烯复合衬底上外延生长GaN纳米柱及制备方法

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	硅/石墨烯复合衬底上外延生长GaN纳米柱及制备方法
其他题名	硅/石墨烯复合衬底上外延生长GaN纳米柱及制备方法
	李国强; 高芳亮; 余粤锋; 徐珍珠
	2018-12-14
专利权人	华南理工大学
公开日期	2018-12-14
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明属于半导体的技术领域，公开了硅/石墨烯复合衬底上外延生长GaN纳米柱及制备方法。方法为：(1)Si衬底清洗；(2)在Si衬底上制备石墨烯层；(3)采用分子束外延法在Si衬底的石墨烯上于900～1100℃高温生长GaN纳米柱；(4)采用分子束外延法，将步骤(3)的GaN纳米柱在650～800℃低温下继续进行生长。硅/石墨烯复合衬底上外延生长GaN纳米柱，从下至上依次包括Si衬底、石墨烯层、GaN纳米柱。本发明的GaN纳米柱直径均匀、有序性高，具有低缺陷密度和高晶体质量，能够提高器件的载流子辐射复合效率，氮化物器件的发光效率以及光解水制氢效率。本发明的制备方法简单，生产周期短。
其他摘要	本发明属于半导体的技术领域，公开了硅/石墨烯复合衬底上外延生长GaN纳米柱及制备方法。方法为：(1)Si衬底清洗；(2)在Si衬底上制备石墨烯层；(3)采用分子束外延法在Si衬底的石墨烯上于900～1100℃高温生长GaN纳米柱；(4)采用分子束外延法，将步骤(3)的GaN纳米柱在650～800℃低温下继续进行生长。硅/石墨烯复合衬底上外延生长GaN纳米柱，从下至上依次包括Si衬底、石墨烯层、GaN纳米柱。本发明的GaN纳米柱直径均匀、有序性高，具有低缺陷密度和高晶体质量，能够提高器件的载流子辐射复合效率，氮化物器件的发光效率以及光解水制氢效率。本发明的制备方法简单，生产周期短。
申请日期	2018-07-20
专利号	CN109003888A
专利状态	申请中
申请号	CN201810806060.0
公开（公告）号	CN109003888A
IPC 分类号	H01L21/02 \| H01L31/0304 \| H01L33/32 \| H01S5/30
专利代理人	陈智英
代理机构	广州市华学知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92293
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	华南理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	李国强,高芳亮,余粤锋,等. 硅/石墨烯复合衬底上外延生长GaN纳米柱及制备方法. CN109003888A[P]. 2018-12-14.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109003888A.PDF（532KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文