氮化物基脊型发光二极管和激光器及制备方法

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	氮化物基脊型发光二极管和激光器及制备方法
其他题名	氮化物基脊型发光二极管和激光器及制备方法
	胡晓东; 张国义; 章蓓; 杨志坚; 康香宁; 李睿; 陈伟华; 赵璐冰; 李丁
	2008-09-03
专利权人	北京大学东莞光电研究院
公开日期	2008-09-03
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种氮化物基脊型激光器和氮化物基脊型发光二极管及制备方法，属于氮化物材料系发光器件技术领域。本发明氮化物基脊型发光二极管的特征在于，在有源层和脊型p型接触层之间设置一介质层，该介质层设有若干个窗口或窗口组，所述脊型p型接触层作为上述窗口或窗口组形成的光、电限制层。通过二次再生长的工艺实现脊型结构的形状，可解决脊型的自对准。将上述制备氮化物基脊型发光二极管的方法应用于氮化物基脊型激光器，可简化激光器的制备工艺。同时，这一方法可避免覆盖层生长太厚的开裂问题，结合侧向外延生长可以大大提高外延片的利用率。此外，这一方法也给优化波导限制、电流注入限制提供了灵活的方案。
其他摘要	本发明公开了一种氮化物基脊型激光器和氮化物基脊型发光二极管及制备方法，属于氮化物材料系发光器件技术领域。本发明氮化物基脊型发光二极管的特征在于，在有源层和脊型p型接触层之间设置一介质层，该介质层设有若干个窗口或窗口组，所述脊型p型接触层作为上述窗口或窗口组形成的光、电限制层。通过二次再生长的工艺实现脊型结构的形状，可解决脊型的自对准。将上述制备氮化物基脊型发光二极管的方法应用于氮化物基脊型激光器，可简化激光器的制备工艺。同时，这一方法可避免覆盖层生长太厚的开裂问题，结合侧向外延生长可以大大提高外延片的利用率。此外，这一方法也给优化波导限制、电流注入限制提供了灵活的方案。
申请日期	2008-03-11
专利号	CN101257080A
专利状态	授权
申请号	CN200810101685
公开（公告）号	CN101257080A
IPC 分类号	H01L33/00 \| H01S5/22 \| H01S5/343 \| H01S5/16 \| H01L33/20
专利代理人	贾晓玲
代理机构	北京君尚知识产权代理事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92099
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京大学东莞光电研究院
推荐引用方式 GB/T 7714	胡晓东,张国义,章蓓,等. 氮化物基脊型发光二极管和激光器及制备方法. CN101257080A[P]. 2008-09-03.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101257080A.PDF（598KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文