一种中红外激光器的制备方法

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	一种中红外激光器的制备方法
其他题名	一种中红外激光器的制备方法
	李耀耀; 李爱珍; 张永刚; 丁惠凤; 李好斯白音
	2012-07-18
专利权人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
公开日期	2012-07-18
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种中红外激光器的制备方法，包括以下步骤：制备氧化硅光栅层：利用等离子体增强化学气相沉积法在器件表面生长一层氮化硅薄膜；利用全息曝光的方法在氮化硅薄膜上制备全息光栅掩膜；采用反应离子刻蚀的方法将光栅图形转移到氮化硅膜上，形成了一层氮化硅的光栅掩膜；在有台面的位置上制备反馈光栅：选择和台面结构相似的光刻版图，在氮化硅的光栅掩膜上制备光刻胶掩膜图形，并在氮化硅的光栅掩膜上制备光栅刻蚀窗口；利用氮化硅和光刻胶双层掩膜，通过ICP刻蚀的方法在器件表面制备光栅，使得光栅完全覆盖在器件所要制备台面的位置上；制备激光器台面。本发明使得分布反馈激光器的性能有所提高。
其他摘要	本发明涉及一种中红外激光器的制备方法，包括以下步骤：制备氧化硅光栅层：利用等离子体增强化学气相沉积法在器件表面生长一层氮化硅薄膜；利用全息曝光的方法在氮化硅薄膜上制备全息光栅掩膜；采用反应离子刻蚀的方法将光栅图形转移到氮化硅膜上，形成了一层氮化硅的光栅掩膜；在有台面的位置上制备反馈光栅：选择和台面结构相似的光刻版图，在氮化硅的光栅掩膜上制备光刻胶掩膜图形，并在氮化硅的光栅掩膜上制备光栅刻蚀窗口；利用氮化硅和光刻胶双层掩膜，通过ICP刻蚀的方法在器件表面制备光栅，使得光栅完全覆盖在器件所要制备台面的位置上；制备激光器台面。本发明使得分布反馈激光器的性能有所提高。
申请日期	2012-02-28
专利号	CN102593718A
专利状态	失效
申请号	CN201210048679.2
公开（公告）号	CN102593718A
IPC 分类号	H01S5/12 \| G03F7/20
专利代理人	宋缨 \| 孙健
代理机构	上海泰能知识产权代理事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92024
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	李耀耀,李爱珍,张永刚,等. 一种中红外激光器的制备方法. CN102593718A[P]. 2012-07-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102593718A.PDF（935KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文