Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 氮化镓基半导体激光器外延结构及其制作方法 | |
| 其他题名 | 氮化镓基半导体激光器外延结构及其制作方法 |
| 曾畅; 张书明; 刘建平; 王辉; 冯美鑫; 李增成; 王怀兵; 杨辉 | |
| 2011-12-28 | |
| 专利权人 | 杭州增益光电科技有限公司 |
| 公开日期 | 2011-12-28 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明公开了一种新型氮化镓基半导体激光器外延结构及其制作方法，本发明采用Al组分渐变的p-AlGaN作为光学限制层，通过极化掺杂的原理,实现三维空穴气。利用本发明可以提高受主Mg杂质的活化效率，降低器件电压，同时有效降低激光器内损耗。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种新型氮化镓基半导体激光器外延结构及其制作方法，本发明采用Al组分渐变的p-AlGaN作为光学限制层，通过极化掺杂的原理,实现三维空穴气。利用本发明可以提高受主Mg杂质的活化效率，降低器件电压，同时有效降低激光器内损耗。 |
| 申请日期 | 2011-07-25 |
| 专利号 | CN102299482A |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201110208967.5 |
| 公开（公告）号 | CN102299482A |
| IPC 分类号 | H01S5/22 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91293 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 杭州增益光电科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曾畅,张书明,刘建平,等. 氮化镓基半导体激光器外延结构及其制作方法. CN102299482A[P]. 2011-12-28. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN102299482A.PDF（639KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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