半导体激光二极管及其封装方法

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	半导体激光二极管及其封装方法
其他题名	半导体激光二极管及其封装方法
	周坤; 李德尧; 张书明; 刘建平; 张立群; 冯美鑫; 李增成; 王怀兵; 杨辉
	2015-03-18
专利权人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
公开日期	2015-03-18
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开一种半导体激光二极管及其封装方法。所述半导体激光二极管包括管座、封帽、散热元件、防静电元件和半导体激光二极管芯片，所述封装方法包括步骤：a）将半导体激光二极管芯片固定在散热元件上，并将固定有半导体激光二极管芯片的散热元件固定在管座上；b）将防静电元件设置在管座之上，并将防静电元件并联在半导体激光二极管芯片的正、负极；c）在充入保护气体的同时利用封帽结合封装管座，以形成半导体激光二极管。本发明因在管座内封装防静电元件，在半导体激光二极管的制作、存储及运输过程中产生的静电可通过防静电元件而释放，同时防静电元件的电压特性不影响半导体激光二极管的正常工作，提高了半导体激光二极管的防静电能力。
其他摘要	本发明公开一种半导体激光二极管及其封装方法。所述半导体激光二极管包括管座、封帽、散热元件、防静电元件和半导体激光二极管芯片，所述封装方法包括步骤：a）将半导体激光二极管芯片固定在散热元件上，并将固定有半导体激光二极管芯片的散热元件固定在管座上；b）将防静电元件设置在管座之上，并将防静电元件并联在半导体激光二极管芯片的正、负极；c）在充入保护气体的同时利用封帽结合封装管座，以形成半导体激光二极管。本发明因在管座内封装防静电元件，在半导体激光二极管的制作、存储及运输过程中产生的静电可通过防静电元件而释放，同时防静电元件的电压特性不影响半导体激光二极管的正常工作，提高了半导体激光二极管的防静电能力。
申请日期	2013-09-03
专利号	CN104426050A
专利状态	授权
申请号	CN201310394933.9
公开（公告）号	CN104426050A
IPC 分类号	H01S5/02
专利代理人	杨林 \| 李友佳
代理机构	深圳市铭粤知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90943
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	周坤,李德尧,张书明,等. 半导体激光二极管及其封装方法. CN104426050A[P]. 2015-03-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104426050A.PDF（610KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文