Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体光发射装置以及一种装置 | |
| 其他题名 | 半导体光发射装置以及一种装置 |
| 朝妻庸纪; 冨谷茂隆; 玉村好司; 东条刚; 后藤修; 元木健作 | |
| 2007-03-21 | |
| 专利权人 | 住友电气工业株式会社 |
| 公开日期 | 2007-03-21 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基III－V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基III－V化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第一区域中，其中装置区域定义在所述氮基III－V化合物半导体层衬底上使得第二区域大体上不包括在发光区域或有源区中。 |
| 其他摘要 | 一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基III－V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基III－V化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第一区域中，其中装置区域定义在所述氮基III－V化合物半导体层衬底上使得第二区域大体上不包括在发光区域或有源区中。 |
| 申请日期 | 2002-10-03 |
| 专利号 | CN1933203A |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN200610159295.2 |
| 公开（公告）号 | CN1933203A |
| IPC 分类号 | H01L33/00 | H01L29/30 | H01S5/323 | C30B29/40 | C30B25/02 | H01L21/20 | H01L33/02 | H01L33/16 | H01L33/32 | H01S5/02 | H01S5/20 | H01S5/22 | H01S5/223 | H01S5/40 |
| 专利代理人 | 陶凤波 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90506 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朝妻庸纪,冨谷茂隆,玉村好司,等. 半导体光发射装置以及一种装置. CN1933203A[P]. 2007-03-21. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1933203A.PDF（3090KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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