Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法 | |
| 其他题名 | 以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法 |
| 王元立; 吴巨; 金鹏; 叶小玲; 张春玲; 黄秀颀; 陈涌海; 王占国 | |
| 2007-01-10 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2007-01-10 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在该衬底的邻位面上用分子束外延工艺生长铟铝砷或铟镓砷材料的缓冲层；步骤3：生长完缓冲层后在砷压保护下停顿2～5分钟；步骤4：然后进行砷化铟量子线或点层的生长，完成以原位形成的垂直超晶格为模板定位生长量子线或点。 |
| 其他摘要 | 一种以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在该衬底的邻位面上用分子束外延工艺生长铟铝砷或铟镓砷材料的缓冲层；步骤3：生长完缓冲层后在砷压保护下停顿2～5分钟；步骤4：然后进行砷化铟量子线或点层的生长，完成以原位形成的垂直超晶格为模板定位生长量子线或点。 |
| 申请日期 | 2005-07-07 |
| 专利号 | CN1892986A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200510012105.X |
| 公开（公告）号 | CN1892986A |
| IPC 分类号 | H01L21/20 | H01L33/00 | H01S5/30 |
| 专利代理人 | 汤保平 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90391 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王元立,吴巨,金鹏,等. 以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法. CN1892986A[P]. 2007-01-10. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1892986A.PDF（382KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [王元立]的文章 |
| [吴巨]的文章 |
| [金鹏]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [王元立]的文章 |
| [吴巨]的文章 |
| [金鹏]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [王元立]的文章 |
| [吴巨]的文章 |
| [金鹏]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论