蓝宝石基氮化物芯片减薄划片的方法

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	蓝宝石基氮化物芯片减薄划片的方法
其他题名	蓝宝石基氮化物芯片减薄划片的方法
	徐军; 彭观良; 周圣明; 周国清; 蒋成勇; 王海丽; 李抒智; 赵广军; 张俊计; 刘军芳; 邹军; 王银珍; 吴锋; 庄漪
	2004-11-10
专利权人	中国科学院上海光学精密机械研究所
公开日期	2004-11-10
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种蓝宝石基氮化物芯片的减薄划片方法，包括下列步骤：成对地将蓝宝石基氮化物芯片贴成氮化物芯片夹心饼；将氮化物芯片夹心饼送入铂金坩埚并置于或悬于铂金丝上，在该坩埚内，放置带气孔的γ－LiAlO2和Li2O混合料块，料块上部有铂金片，覆盖有γ－LiAlO2和Li2O混合粉料并配备有热电偶的坩埚盖，坩埚顶部加铂金盖密闭，置于电阻炉中；该电阻炉加热升温至750－900℃，恒温80－200小时，氧化锂扩散到蓝宝石晶片中，发生固相反应生成铝酸锂(γ－LiAlO2)；采用机械或化学的方法进行减薄，并把这个氮化物芯片夹心饼从中分开；划片；裂片；对芯片进行测试及分类包装。本发明提高了对蓝宝石基氮化物芯片的减薄和划片的效率和成品率。
其他摘要	一种蓝宝石基氮化物芯片的减薄划片方法，包括下列步骤：成对地将蓝宝石基氮化物芯片贴成氮化物芯片夹心饼；将氮化物芯片夹心饼送入铂金坩埚并置于或悬于铂金丝上，在该坩埚内，放置带气孔的γ－LiAlO2和Li2O混合料块，料块上部有铂金片，覆盖有γ－LiAlO2和Li2O混合粉料并配备有热电偶的坩埚盖，坩埚顶部加铂金盖密闭，置于电阻炉中；该电阻炉加热升温至750－900℃，恒温80－200小时，氧化锂扩散到蓝宝石晶片中，发生固相反应生成铝酸锂(γ－LiAlO2)；采用机械或化学的方法进行减薄，并把这个氮化物芯片夹心饼从中分开；划片；裂片；对芯片进行测试及分类包装。本发明提高了对蓝宝石基氮化物芯片的减薄和划片的效率和成品率。
申请日期	2003-11-14
专利号	CN1545145A
专利状态	失效
申请号	CN200310108613.9
公开（公告）号	CN1545145A
IPC 分类号	H01L21/302 \| H01L33/00 \| H01S5/00
专利代理人	张泽纯
代理机构	上海新天专利代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90269
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院上海光学精密机械研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	徐军,彭观良,周圣明,等. 蓝宝石基氮化物芯片减薄划片的方法. CN1545145A[P]. 2004-11-10.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1545145A.PDF（410KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文