一种具有不同深度沟槽的GaAs基激光器的制备方法

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	一种具有不同深度沟槽的GaAs基激光器的制备方法
其他题名	一种具有不同深度沟槽的GaAs基激光器的制备方法
	王金翠; 苏建; 徐现刚
	2016-12-14
专利权人	潍坊华光光电子有限公司
公开日期	2016-12-14
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种具有不同深度沟槽的GaAs基激光器的制备方法，首先在外延片的表面沉积一层介质膜作为干法刻蚀的掩膜，利用第一块光刻掩膜版光刻出第一深度的区域，利用光刻胶作为掩膜腐蚀掉第一区域处的介质摸，然后利用第二块光刻掩膜版光刻出第二深度的区域，利用上面形成的光刻胶和介质膜作为掩膜进行干法刻蚀，得到深度不同的沟槽，最后形成激光器。该方法旋涂一次光刻胶就同时作为了制备第一深度区域图形和第二深度区域图形的掩膜，进行一次干法刻蚀就得到了不同深度要求的沟槽，实现对不同深度不同区域的位置的刻蚀，操作方便，简化了工艺步骤，缩短了生产周期，同时降低了原材料的消耗，增加了整个工艺的可重复性以及稳定性。
其他摘要	一种具有不同深度沟槽的GaAs基激光器的制备方法，首先在外延片的表面沉积一层介质膜作为干法刻蚀的掩膜，利用第一块光刻掩膜版光刻出第一深度的区域，利用光刻胶作为掩膜腐蚀掉第一区域处的介质摸，然后利用第二块光刻掩膜版光刻出第二深度的区域，利用上面形成的光刻胶和介质膜作为掩膜进行干法刻蚀，得到深度不同的沟槽，最后形成激光器。该方法旋涂一次光刻胶就同时作为了制备第一深度区域图形和第二深度区域图形的掩膜，进行一次干法刻蚀就得到了不同深度要求的沟槽，实现对不同深度不同区域的位置的刻蚀，操作方便，简化了工艺步骤，缩短了生产周期，同时降低了原材料的消耗，增加了整个工艺的可重复性以及稳定性。
申请日期	2016-08-31
专利号	CN106229812A
专利状态	授权
申请号	CN201610779128.1
公开（公告）号	CN106229812A
IPC 分类号	H01S5/22 \| H01S5/24 \| H01S5/343
专利代理人	王书刚
代理机构	济南日新专利代理事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90209
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	潍坊华光光电子有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	王金翠,苏建,徐现刚. 一种具有不同深度沟槽的GaAs基激光器的制备方法. CN106229812A[P]. 2016-12-14.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN106229812A.PDF（114KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文