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一种高电流注入密度的半导体激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109698465A, 申请日期: 2019-04-30, 公开日期: 2019-04-30
发明人:  任夫洋;  苏建;  陈康;  王金翠;  肖成峰;  郑兆河
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一种高电流密度、高散热系数的半导体激光器制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109326952A, 申请日期: 2019-02-12, 公开日期: 2019-02-12
发明人:  陈康;  苏建;  任夫洋;  刘青;  王金翠;  肖成峰;  郑兆河
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一种具有不同深度沟槽的GaAs基激光器的制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN106229812A, 申请日期: 2016-12-14, 公开日期: 2016-12-14
发明人:  王金翠;  苏建;  徐现刚
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新型半导体激光器发光区台形结构 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN205488995U, 申请日期: 2016-08-17, 公开日期: 2016-08-17
发明人:  苏建;  朱振;  王金翠;  刘青;  徐现刚
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新型半导体激光器发光区台形结构 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN205488995U, 申请日期: 2016-08-17, 公开日期: 2016-08-17
发明人:  苏建;  朱振;  王金翠;  刘青;  徐现刚
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一种窄条脊形GaAs 基激光器的制备方法及GaAs 基激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN105576498A, 申请日期: 2016-05-11, 公开日期: 2016-05-11
发明人:  王金翠;  苏建;  徐现刚
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一种双肩脊条的GaAs-基激光器的制备方法及利用该方法制备的GaAs-基激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN105449519A, 申请日期: 2016-03-30, 公开日期: 2016-03-30
发明人:  王金翠;  苏建;  申国丽;  徐现刚
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一种窄脊条型GaAs基GaInP量子阱结构半导体激光器的制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN105226502A, 申请日期: 2016-01-06, 公开日期: 2016-01-06
发明人:  王金翠;  沈燕;  张木青;  刘欢;  徐现刚
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一种用于制备蓝宝石衬底的GaN基半导体激光器腔面的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103915757A, 申请日期: 2014-07-09, 公开日期: 2014-07-09
发明人:  王金翠;  沈燕;  张木青;  刘欢;  刘长江
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