基于金属诱导结晶工艺的新型Si基Ge量子点结构制备方法

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	基于金属诱导结晶工艺的新型Si基Ge量子点结构制备方法
其他题名	基于金属诱导结晶工艺的新型Si基Ge量子点结构制备方法
	施毅; 鄢波; 濮林; 张匡吉; 韩平; 张荣; 郑有炓
	2006-03-15
专利权人	南京大学
公开日期	2006-03-15
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	基于金属诱导结晶工艺的新型Si基Ge量子点结构制备方法，在硅晶片、二氧化硅、氮化硅，玻璃或石英基片构成的绝缘衬底上；采用化学气相沉积(CVD)自组织方法生长多层Ge量子点/a－Si膜，所述的化学气相沉积包括在约450－550℃温度下以SiH4为气源沉积a－Si、以GeH4为气源沉积Ge量子点，掺杂方式可以是在所述的a－Si外延沉积中，以B2H6、PH3为气源进行原位p、n型掺杂；或者是在化学气相沉积(CVD)制备多层Ge量子点/a－Si膜后对该异质结构的外延层进行硼离子或磷离子注入掺杂；然后刻蚀出金属淀积窗口，金属淀积；最后利用金属诱导结晶机制在低温范围下退火，形成大面积完整晶态Si基Ge量子点多层膜结构材料。
其他摘要	基于金属诱导结晶工艺的新型Si基Ge量子点结构制备方法，在硅晶片、二氧化硅、氮化硅，玻璃或石英基片构成的绝缘衬底上；采用化学气相沉积(CVD)自组织方法生长多层Ge量子点/a－Si膜，所述的化学气相沉积包括在约450－550℃温度下以SiH4为气源沉积a－Si、以GeH4为气源沉积Ge量子点，掺杂方式可以是在所述的a－Si外延沉积中，以B2H6、PH3为气源进行原位p、n型掺杂；或者是在化学气相沉积(CVD)制备多层Ge量子点/a－Si膜后对该异质结构的外延层进行硼离子或磷离子注入掺杂；然后刻蚀出金属淀积窗口，金属淀积；最后利用金属诱导结晶机制在低温范围下退火，形成大面积完整晶态Si基Ge量子点多层膜结构材料。
申请日期	2005-08-18
专利号	CN1747130A
专利状态	失效
申请号	CN200510041526.5
公开（公告）号	CN1747130A
IPC 分类号	H01L21/00 \| H01L33/00 \| H01S5/00
专利代理人	汤志武
代理机构	南京天翼专利代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90197
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	南京大学
推荐引用方式 GB/T 7714	施毅,鄢波,濮林,等. 基于金属诱导结晶工艺的新型Si基Ge量子点结构制备方法. CN1747130A[P]. 2006-03-15.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1747130A.PDF（637KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文