利用具原子台阶衬底制备的InGaN量子点外延片及其制备方法

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	利用具原子台阶衬底制备的InGaN量子点外延片及其制备方法
其他题名	利用具原子台阶衬底制备的InGaN量子点外延片及其制备方法
	王怀兵; 王辉; 黄强
	2013-09-11
专利权人	苏州新纳晶光电有限公司
公开日期	2013-09-11
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明揭示了一种利用具原子台阶衬底制备的InGaN量子点发光电器件外延片，包括一具有原子台阶的衬底，所述衬底上生长有N型层，所述N型层与所述衬底具有相同的原子台阶，所述N型层上方生长形成有源区，所述有源区上设置有P型层，所述原子台阶为规则递增型台阶。所述斜切角大于0.05°小于10°；本发明通过衬底表面的原子台阶控制量子点的分布，而应用原子台阶形成的斜切角角度变化，可制备出不同宽度和密度的InGaN量子点有源区，以适应更多的需求。
其他摘要	本发明揭示了一种利用具原子台阶衬底制备的InGaN量子点发光电器件外延片，包括一具有原子台阶的衬底，所述衬底上生长有N型层，所述N型层与所述衬底具有相同的原子台阶，所述N型层上方生长形成有源区，所述有源区上设置有P型层，所述原子台阶为规则递增型台阶。所述斜切角大于0.05°小于10°；本发明通过衬底表面的原子台阶控制量子点的分布，而应用原子台阶形成的斜切角角度变化，可制备出不同宽度和密度的InGaN量子点有源区，以适应更多的需求。
申请日期	2012-02-28
专利号	CN103296168A
专利状态	授权
申请号	CN201210047240.8
公开（公告）号	CN103296168A
IPC 分类号	H01L33/20 \| H01L33/06 \| H01L33/00 \| H01S5/343
专利代理人	陆明耀 \| 陈忠辉
代理机构	南京苏科专利代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90125
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	苏州新纳晶光电有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	王怀兵,王辉,黄强. 利用具原子台阶衬底制备的InGaN量子点外延片及其制备方法. CN103296168A[P]. 2013-09-11.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103296168A.PDF（1579KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文