氮化镓同质衬底上激光器量子阱有源区的同温生长方法

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	氮化镓同质衬底上激光器量子阱有源区的同温生长方法
其他题名	氮化镓同质衬底上激光器量子阱有源区的同温生长方法
	赵德刚; 陈平; 刘宗顺; 朱建军; 江德生; 杨辉
	2015-05-13
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2015-05-13
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种氮化镓同质衬底上激光器量子阱有源区的同温生长方法，包括：在氮化镓同质衬底上依次外延生长n型GaN同质外延层、n型AlGaN限制层、n型GaN波导层、量子阱有源区、p型AlGaN电子阻挡层、p型GaN波导层、p型AlGaN限制层和p型掺杂/p型重掺接触层，其中量子阱有源区中的阱层和垒层在相同的温度下生长；在p型掺杂/p型重掺接触层一侧采用光刻的方法刻蚀出脊型结构；在脊型结构的上表面制作一p型电极；在氮化镓同质衬底的下表面制作n型电极。本发明减少由于阱层和垒层生长温度不同导致的翘曲程度不同以及量子阱界面平整度的下降，从而增强量子阱内载流子的发光复合率，提高激光器的性能。
其他摘要	本发明公开了一种氮化镓同质衬底上激光器量子阱有源区的同温生长方法，包括：在氮化镓同质衬底上依次外延生长n型GaN同质外延层、n型AlGaN限制层、n型GaN波导层、量子阱有源区、p型AlGaN电子阻挡层、p型GaN波导层、p型AlGaN限制层和p型掺杂/p型重掺接触层，其中量子阱有源区中的阱层和垒层在相同的温度下生长；在p型掺杂/p型重掺接触层一侧采用光刻的方法刻蚀出脊型结构；在脊型结构的上表面制作一p型电极；在氮化镓同质衬底的下表面制作n型电极。本发明减少由于阱层和垒层生长温度不同导致的翘曲程度不同以及量子阱界面平整度的下降，从而增强量子阱内载流子的发光复合率，提高激光器的性能。
申请日期	2015-01-12
专利号	CN104617487A
专利状态	申请中
申请号	CN201510012720.4
公开（公告）号	CN104617487A
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	宋焰琴
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90069
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	赵德刚,陈平,刘宗顺,等. 氮化镓同质衬底上激光器量子阱有源区的同温生长方法. CN104617487A[P]. 2015-05-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104617487A.PDF（817KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文