一种激光器及其制作方法

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	一种激光器及其制作方法
其他题名	一种激光器及其制作方法
	李翔; 赵德刚; 朱建军; 陈平; 刘宗顺; 江德生
	2015-01-07
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2015-01-07
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提出了一种激光器及其制作方法。所述激光器包括：N型砷化镓衬底；N型覆盖层，制作N型砷化镓衬底正面；第一超晶格层，制作在N型覆盖层上；N型波导层，制作在超晶格层上；有源层，制作在N型波导层上；P型波导层，制作在有源层上；第二超晶格层，制作在P型波导层上；P型覆盖层，制作在超晶格层上；P型欧姆接触层，制作在P型覆盖层上；P型欧姆电极，制作在P型欧姆接触层上；N型欧姆电极，制作在N型砷化镓衬底(10)背面。本发明中本发明利用超晶格层不仅能提供低折射率势垒，而且具有高的载流子输运的能力，使激光器同时具有低阈值电流、低垂直发散角以及高的载流子输运的能力。
其他摘要	本发明提出了一种激光器及其制作方法。所述激光器包括：N型砷化镓衬底；N型覆盖层，制作N型砷化镓衬底正面；第一超晶格层，制作在N型覆盖层上；N型波导层，制作在超晶格层上；有源层，制作在N型波导层上；P型波导层，制作在有源层上；第二超晶格层，制作在P型波导层上；P型覆盖层，制作在超晶格层上；P型欧姆接触层，制作在P型覆盖层上；P型欧姆电极，制作在P型欧姆接触层上；N型欧姆电极，制作在N型砷化镓衬底(10)背面。本发明中本发明利用超晶格层不仅能提供低折射率势垒，而且具有高的载流子输运的能力，使激光器同时具有低阈值电流、低垂直发散角以及高的载流子输运的能力。
申请日期	2014-09-23
专利号	CN104269740A
专利状态	授权
申请号	CN201410490395.8
公开（公告）号	CN104269740A
IPC 分类号	H01S5/30 \| H01S5/323
专利代理人	宋焰琴
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90063
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	李翔,赵德刚,朱建军,等. 一种激光器及其制作方法. CN104269740A[P]. 2015-01-07.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104269740A.PDF（304KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文