Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 面型光双安定レーザ | |
| 其他题名 | 面型光双安定レーザ |
| 小濱 剛孝; 黒川 隆志; 岩村 英俊; 植之原 裕行 | |
| 1993-05-18 | |
| 专利权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 公开日期 | 1993-05-18 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 高速スイッチング性能を得る。 【構成】 n型Al0.15Ga0.85As結晶基板1の主面上にGaAsバッファ層2を成長させ、このGaAsバッファ層2上にn型AlAs/Al0.1Ga0.9As反射層3、引き続いて活性層としてのAl0.3Ga0.7As/GaAs超格子層4,p型Al0.3Ga0.7Asクラッド層5,可飽和吸収層としてのAl0.3Ga0.7As/GaAs超格子層7の3層を含むキャビティー層、引き続いてn型AlAs/Al0.1Ga0.9As反射層8の順で積層させ、n型AlAs/Al0.1Ga0.9As反射層8上にn電極10を設け、p型Al0.3Ga0.7Asクラッド層5上にp電極11を設け、n型Al0.15Ga0.85As結晶基板1にn電極12を設けた。 |
| 其他摘要 | 目的：通过一种方法获得具有高开关性能的平面光学双稳态激光器，其中向第一半导体光反射层和包层之间提供的有源层提供电流的装置和向可饱和吸收层提供电压的装置从包层和第二半导体光反射层提供。组成：在n型半导体衬底1的主表面上，n型第一半导体光反射层3，以及连续地，由i型有源层4，p型包层5和i-组成的腔层。形成可饱和吸收层7，并且依次构建n型第二半导体光反射层8。提供向设置在第一光反射层3和包层5之间的有源层4提供电流的装置，以及从包层5和第二半导体光反射向可饱和吸收层7施加电压的装置。层8独立于电流供应装置而设置。利用这种结构，可以开发出具有高速开关性能的平面光学双稳态激光器。 |
| 申请日期 | 1991-10-25 |
| 专利号 | JP1993121830A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1991305666 |
| 公开（公告）号 | JP1993121830A |
| IPC 分类号 | H01S5/042 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 山川 政樹 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87340 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小濱 剛孝,黒川 隆志,岩村 英俊,等. 面型光双安定レーザ. JP1993121830A[P]. 1993-05-18. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1993121830A.PDF（43KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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