一种具有P/N异质结的半导体激光器芯片的量子阱结构

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	一种具有P/N异质结的半导体激光器芯片的量子阱结构
其他题名	一种具有P/N异质结的半导体激光器芯片的量子阱结构
	张欣刚; 任大为; 邱继广; 谢镇隆
	2012-07-04
专利权人	华汉晶源(北京)光电技术有限公司
公开日期	2012-07-04
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种新型的具有P/N异质结的半导体激光器芯片的量子阱结构，所述的量子阱结构沿半导体生长方向有N型磷化铟层、非掺杂的量子阱区域以及P型磷化铟层，其特征在于，所述的N型磷化铟层中引入一层非掺杂的磷化铟层，其厚度为0.1～1微米，该层非掺杂的磷化铟层和非掺杂的量子阱区域之间的N型掺杂的磷化铟层的厚度为0～2微米。本发明的优点主要有三个：1、提升激光器芯片的可靠性，增强数据网路的稳定性；2、降低对芯片生产设备防静电要求，从而降低设备成本于芯片成本；3、降低对于下游的芯片封装厂商的生产环境要求，便于客户降低成本，提高可靠性。
其他摘要	本发明涉及一种新型的具有P/N异质结的半导体激光器芯片的量子阱结构，所述的量子阱结构沿半导体生长方向有N型磷化铟层、非掺杂的量子阱区域以及P型磷化铟层，其特征在于，所述的N型磷化铟层中引入一层非掺杂的磷化铟层，其厚度为0.1～1微米，该层非掺杂的磷化铟层和非掺杂的量子阱区域之间的N型掺杂的磷化铟层的厚度为0～2微米。本发明的优点主要有三个：1、提升激光器芯片的可靠性，增强数据网路的稳定性；2、降低对芯片生产设备防静电要求，从而降低设备成本于芯片成本；3、降低对于下游的芯片封装厂商的生产环境要求，便于客户降低成本，提高可靠性。
申请日期	2012-02-01
专利号	CN102545059A
专利状态	失效
申请号	CN201210022177.2
公开（公告）号	CN102545059A
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	杨小蓉 \| 杨青
代理机构	北京法思腾知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85682
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	华汉晶源(北京)光电技术有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	张欣刚,任大为,邱继广,等. 一种具有P/N异质结的半导体激光器芯片的量子阱结构. CN102545059A[P]. 2012-07-04.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102545059A.PDF（578KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文