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一种具有P/N异质结的半导体激光器芯片的量子阱结构 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102545059A, 申请日期: 2012-07-04, 公开日期: 2012-07-04
发明人:  张欣刚;  任大为;  邱继广;  谢镇隆
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