半導体発光素子

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	半導体発光素子
其他题名	半導体発光素子
	中塚慎一; 後藤順; 大家彰; 河田雅彦; 百瀬正之
	1997-05-27
专利权人	株式会社日立製作所
公开日期	1997-05-27
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】II-VI族化合物のクラッド層のエッチング深さを正確に制御でき、素子特性のばらつきが小さくて歩留向上が図れる青緑色半導体レーザを得る。【解決手段】n-GaAs基板101上にII-VI族化合物の、クラッド層102、光ガイド層103、歪量子井戸活性層104、光ガイド層103、第1クラッド層105、Zn1-xCdxSySe1-yエッチング停止層106、Zn1-xMgxSySe1-y第2クラッド層107、キャップ層108、超格子コンタクト層109をMBE法により順次成長後、不図示のストライプ状マスクを用いて層108,109を除去し、更に層107の一部をNaOH水溶液で除去する。その後ブロック層110、埋込層111を形成する。ここで、層107の硫黄含有量を17.5モル%以下、エッチング停止層106の硫黄含有量を20モル%以上とし、層106の膜厚はy=0.5の時2nmと設定することにより、層106はエッチングされず、しかも電気的障壁とはならない。
其他摘要	本发明的一个目的是获得一种蓝绿色半导体激光器，其能够精确地控制II-VI化合物的包层的蚀刻深度并且具有小的器件特性变化以提高产量。在n-GaAs衬底101上形成包层102，导光层103，应变量子阱有源层104，导光层103，第一包层105和II-VI族化合物的Zn 1。 -xCd x S S Se 1-y 蚀刻停止层106，Zn 1-x > Mg x S y Se Se 1-y第二包层107，盖层108，超晶格接触层109依次通过MBE在生长之后，使用条纹掩模（未示出）去除层108和109，并且用NaOH水溶液进一步去除层107的一部分。此后，形成阻挡层110和掩埋层111。这里，通过将层107的硫含量设定为17.5摩尔％或更低，将蚀刻停止层106的硫含量设定为20摩尔％或更多，并且当y = 0.5时将层106的膜厚度设定为2nm， 106未被蚀刻并且不形成电屏障。
申请日期	1995-11-16
专利号	JP1997139549A
专利状态	失效
申请号	JP1995297986
公开（公告）号	JP1997139549A
IPC 分类号	H01L33/06 \| H01L33/30 \| H01L33/14 \| H01S5/00 \| H01L33/28 \| H01S3/18 \| H01L33/00
专利代理人	薄田利幸
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84473
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社日立製作所
推荐引用方式 GB/T 7714	中塚慎一,後藤順,大家彰,等. 半導体発光素子. JP1997139549A[P]. 1997-05-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1997139549A.PDF（50KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文