Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
半導体発光素子 | |
其他题名 | 半導体発光素子 |
中塚 慎一; 後藤 順; 大家 彰; 河田 雅彦; 百瀬 正之 | |
1997-05-27 | |
专利权人 | 株式会社日立製作所 |
公开日期 | 1997-05-27 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 【課題】II-VI族化合物のクラッド層のエッチング深さを正確に制御でき、素子特性のばらつきが小さくて歩留向上が図れる青緑色半導体レーザを得る。 【解決手段】n-GaAs基板101上にII-VI族化合物の、クラッド層102、光ガイド層103、歪量子井戸活性層104、光ガイド層103、第1クラッド層105、Zn1-xCdxSySe1-yエッチング停止層106、Zn1-xMgxSySe1-y第2クラッド層107、キャップ層108、超格子コンタクト層109をMBE法により順次成長後、不図示のストライプ状マスクを用いて層108,109を除去し、更に層107の一部をNaOH水溶液で除去する。その後ブロック層110、埋込層111を形成する。ここで、層107の硫黄含有量を17.5モル%以下、エッチング停止層106の硫黄含有量を20モル%以上とし、層106の膜厚はy=0.5の時2nmと設定することにより、層106はエッチングされず、しかも電気的障壁とはならない。 |
其他摘要 | 本发明的一个目的是获得一种蓝绿色半导体激光器,其能够精确地控制II-VI化合物的包层的蚀刻深度并且具有小的器件特性变化以提高产量。 在n-GaAs衬底101上形成包层102,导光层103,应变量子阱有源层104,导光层103,第一包层105和II-VI族化合物的Zn 1。 -xCd x S S Se 1-y 蚀刻停止层106,Zn 1-x > Mg x S y Se Se 1-y第二包层107,盖层108,超晶格接触层109依次通过MBE在生长之后,使用条纹掩模(未示出)去除层108和109,并且用NaOH水溶液进一步去除层107的一部分。此后,形成阻挡层110和掩埋层111。这里,通过将层107的硫含量设定为17.5摩尔%或更低,将蚀刻停止层106的硫含量设定为20摩尔%或更多,并且当y = 0.5时将层106的膜厚度设定为2nm, 106未被蚀刻并且不形成电屏障。 |
申请日期 | 1995-11-16 |
专利号 | JP1997139549A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1995297986 |
公开(公告)号 | JP1997139549A |
IPC 分类号 | H01L33/06 | H01L33/30 | H01L33/14 | H01S5/00 | H01L33/28 | H01S3/18 | H01L33/00 |
专利代理人 | 薄田 利幸 |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84473 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 株式会社日立製作所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 中塚 慎一,後藤 順,大家 彰,等. 半導体発光素子. JP1997139549A[P]. 1997-05-27. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP1997139549A.PDF(50KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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