Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 面発光半導体レーザ | |
| 其他题名 | 面発光半導体レーザ |
| 竹ノ内 弘和; 舘野 功太; 大礒 義孝; 伊藤 義夫; 天野 主税; 黒川 隆志 | |
| 2003-09-05 | |
| 专利权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 公开日期 | 2003-11-25 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【課題】 より容易に面発光半導体レーザを作製できるようにする。 【解決手段】 クラッド層105上には、アモルファス状態のp形のGaAsとAlAsとが交互に積層された、多層膜反射鏡構造の光反射層106が形成されている。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：通过在形成于第一光反射层上的第一覆层，有源层上的第二覆层上设置有源层，在覆层上沉积材料，形成第二光反射层，和第二光反射层，具有在第二包层上由多个非晶化合物半导体层构成的反射镜结构。解决方案：在n型GaAs衬底101上，通过交替外延生长GaAs和AlAs形成具有分布式布拉格反射镜（DBR）结构的光反射层102。在InP衬底101a上，外延生长InGaAs蚀刻停止层110，并且在阻挡层110上外延生长包层105，有源层104和包层103.在光反射层102的表面之后如图所示，包覆层103和光反射层102的外延生长表面彼此紧密粘合并通过退火彼此粘合。然后，通过交替形成p型GaAs和AlAs无定形状态，在包层103上形成光反射层106。因此，可以通过沉积材料来形成第二光反射层106。 |
| 申请日期 | 1997-08-04 |
| 专利号 | JP3469051B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1997208936 |
| 公开（公告）号 | JP3469051B2 |
| IPC 分类号 | H01S | H01S5/125 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 山川 政樹 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83491 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竹ノ内 弘和,舘野 功太,大礒 義孝,等. 面発光半導体レーザ. JP3469051B2[P]. 2003-09-05. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3469051B2.PDF（203KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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