Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光素子 | |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 左文字 克哉; 小野澤 和利; 春日井 秀紀; 梶谷 亮 | |
| 2010-04-30 | |
| 专利权人 | PANASONIC CORP |
| 公开日期 | 2010-04-30 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】トレンチから基板の裏面にかけて連続的に金属膜を形成することなく、クラッド層の薄膜化と高Al組成化とを実現して、クラックフリーの半導体発光素子を提供する。 【解決手段】導電性基板1と、導電性基板1上に形成された窒化物半導体からなる第1導電型の第1クラッド層2と、第1クラッド層2上に形成された活性層4と、活性層4上に形成された第2導電型の第2クラッド層6とを備え、第2クラッド層6に光導波路7が形成される。光導波路7の少なくとも真下における導電性基板1には、導電性基板1を貫通する溝が形成される。 【選択図】図1 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：通过实现更薄的膜和更高的包覆层的Al组分来提供无裂缝的半导体发光元件，而无需从沟槽到基板的背面连续形成金属膜。 ŽSOLUTION：半导体发光元件包括：导电基板1;第一导电类型的第一包层2，包括氮化物半导体并形成在导电基板1上;形成在第一包层2上的有源层4;在有源层4上形成第二导电类型的第二包层6，其中在第二包层6中形成光波导7.在导电基板1上至少在光波导7的正下方，穿透形成导电基板1。 Ž |
| 申请日期 | 2008-10-20 |
| 专利号 | JP2010098238A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2008269861 |
| 公开（公告）号 | JP2010098238A |
| IPC 分类号 | H01S5/323 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | 特許業務法人池内·佐藤アンドパートナーズ |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83246 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | PANASONIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 左文字 克哉,小野澤 和利,春日井 秀紀,等. 半導体発光素子. JP2010098238A[P]. 2010-04-30. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2010098238A.PDF（258KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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