Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ素子 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 吉年 慶一; 茨木 晃; 林 伸彦; 古沢 浩太郎; 田尻 敦志; 石川 徹; 松川 健一; 三宅 輝明; 後藤 壮謙 | |
| 2001-10-05 | |
| 专利权人 | 三洋電機株式会社 |
| 公开日期 | 2001-12-17 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 小さな非点隔差で且つ小さな動作電流値で自励発振を行う半導体レーザ素子を提供することを目的とする。 【構成】 n型GaAs基板1と、このn型GaAs基板1上に形成したn型AlGaAs第1クラッド層2と、この第1クラッド層2上に形成された活性層3と、この活性層3上に形成したストライプ状のリッジ部を有するp型AlGaAs第2クラッド層5とを備え、前記第1クラッド層2中にn型AluGa1-uAs第1過飽和光吸収層3を有すると共に前記第2クラッド層5のp型第3AlGaAsクラッド層5a上にp型AluGa1-uAs第2過飽和光吸収層6を有し、且つこの第1、第2過飽和光吸収層3、6は発振波長エネルギーと等しいバンドギャップエネルギーをもつ構成とした。 |
| 其他摘要 | 本发明的一个目的是提供一种半导体激光器件，它以小的像散差和小的工作电流值进行自脉动。 在第一包层2上形成有源层3.有源层3形成在n型GaAs衬底1上形成的n型AlGaAs第一包层2上，并且，在第一包层2上形成有条形脊部的p型AlGaAs第二包层5，其中n型Al u Ga 1-u 作为第一包覆层5的p型第三AlGaAs包覆层5a上的第一过饱和光吸收层3和p型Al u Ga 1-u 。 sub>作为第二过饱和光吸收层6，第一过饱和光吸收层3和第二过饱和光吸收层6的带隙能量等于振荡波长能量。 |
| 申请日期 | 1993-02-26 |
| 专利号 | JP3238974B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1993038561 |
| 公开（公告）号 | JP3238974B2 |
| IPC 分类号 | H01S | H01S5/065 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 芝野 正雅 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82891 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉年 慶一,茨木 晃,林 伸彦,等. 半導体レーザ素子. JP3238974B2[P]. 2001-10-05. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3238974B2.PDF（243KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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