垂直腔面发射激光器及其制作方法

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	垂直腔面发射激光器及其制作方法
其他题名	垂直腔面发射激光器及其制作方法
	曾徐路; 董建荣; 李奎龙; 孙玉润; 何洋; 于淑珍; 赵勇明; 赵春雨
	2015-04-29
专利权人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
公开日期	2015-04-29
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种垂直腔面发射激光器，包括叠层设置的衬底、第一布拉格反射镜、第一限制层、有源区、第二限制层、第二布拉格反射镜及欧姆接触层；其中，有源区为量子阱结构，势垒层的材料为InGaAlAs，势阱层的材料为InGaAsN；在第二限制层与第二布拉格反射镜之间还设置有重掺杂隧道结和第三限制层；在第二限制层中还设置有一氧化限制层；本发明还提供了一种如上所述激光器的制备方法。该激光器以InGaAsN/InGaAlAs材料作为有源区，具有大的导带带阶比，可对注入的载流子进行有效地限制，降低阈值电流，并提高激光器增益；在1550nm等长波长波段，有源区材料所需N含量较低，易于获得高材料质量的器件。
其他摘要	本发明公开了一种垂直腔面发射激光器，包括叠层设置的衬底、第一布拉格反射镜、第一限制层、有源区、第二限制层、第二布拉格反射镜及欧姆接触层；其中，有源区为量子阱结构，势垒层的材料为InGaAlAs，势阱层的材料为InGaAsN；在第二限制层与第二布拉格反射镜之间还设置有重掺杂隧道结和第三限制层；在第二限制层中还设置有一氧化限制层；本发明还提供了一种如上所述激光器的制备方法。该激光器以InGaAsN/InGaAlAs材料作为有源区，具有大的导带带阶比，可对注入的载流子进行有效地限制，降低阈值电流，并提高激光器增益；在1550nm等长波长波段，有源区材料所需N含量较低，易于获得高材料质量的器件。
申请日期	2013-10-24
专利号	CN104577711A
专利状态	失效
申请号	CN201310507570.5
公开（公告）号	CN104577711A
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/343
专利代理人	杨林 \| 马翠平
代理机构	深圳市铭粤知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82347
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	曾徐路,董建荣,李奎龙,等. 垂直腔面发射激光器及其制作方法. CN104577711A[P]. 2015-04-29.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104577711A.PDF（872KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文