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面発光半導体レーザ
其他题名面発光半導体レーザ
田所 貴志; 大礒 義孝; 黒川 隆志
2001-10-26
专利权人日本電信電話株式会社
公开日期2002-01-07
授权国家日本
专利类型授权发明
摘要【目的】 面発光半導体レーザの偏波面を制御可能にする。 【構成】 活性層の上下を反射鏡で挟んだ構造の面発光半導体レーザにおいて、反射鏡の一方あるいは双方の内部、反射鏡と活性層の間、および反射鏡の外部のいずれかの位置に格子状金属体を有する。
其他摘要可以控制表面发射半导体激光器的偏振面。 在具有其中有源层夹在反射镜之间的结构的表面发射半导体激光器中,有源层夹在反射镜和有源层之间的一个或两个内部的反射器之间,像金属体一样。
申请日期1994-04-22
专利号JP3243772B2
专利状态失效
申请号JP1994084772
公开(公告)号JP3243772B2
IPC 分类号H01S | H01S5/00 | H01S5/183
专利代理人谷 義一 (外1名)
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81089
专题半导体激光器专利数据库
作者单位日本電信電話株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
田所 貴志,大礒 義孝,黒川 隆志. 面発光半導体レーザ. JP3243772B2[P]. 2001-10-26.
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