Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光素子 | |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 中野 一志; 大畑 豊治; 伊藤 哲; 中山 典一 | |
| 2003-07-11 | |
| 专利权人 | ソニー株式会社 |
| 公开日期 | 2003-09-22 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 ZnMgSSe系化合物半導体をクラッド層の材料として用いた、青色ないし緑色で発光が可能な低しきい値電流の半導体レーザーを実現する。 【構成】 n型GaAs基板1上にn型ZnSeバッファ層2を介してn型Zn1-p Mgp Sq Se1-q クラッド層3、n型ZnSe光導波層4、活性層5、p型ZnSe光導波層6およびp型Zn1-p Mgp Sq Se1-q クラッド層7を順次積層してレーザー構造を形成する。活性層5は厚さが2〜20nmの単一のi型Zn1-z Cdz Se量子井戸層から成るか、合計の厚さが2〜20nmの二つのi型Zn1-z Cdz Se量子井戸層を含む。 |
| 其他摘要 | 用途：通过构成第一包层，第一光波导层，有源层，第二光波导和具有化合物半导体的第二包层，使用ZnMgSSe化合物半导体作为包层实现蓝色或绿色发光。表达式然后将有源层形成为具有特定厚度的单量子阱层。组成：通过在表达式1（0 <= x <1,0 <= y <1）的化合物半导体中形成ZnMgSSe化合物半导体（x = 0，b = 0）的第一包层3和第二包层7 ，0 <= a <1,0 <= b <1），可以实现具有SCH结构的标题半导体激光器，其中使用ZnMgSSe化合物半导体作为包层材料可以发射蓝光或绿光。此外，有源层5具有2-20nm厚的单量子阱层5b，使得标题半导体激光器具有低阈值电流。 |
| 申请日期 | 1993-06-29 |
| 专利号 | JP3449751B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1993184436 |
| 公开（公告）号 | JP3449751B2 |
| IPC 分类号 | H01L | H01S | H01L33/40 | H01L33/12 | H01L33/06 | H01L33/10 | H01L33/14 | H01L33/30 | H01S5/00 | H01L33/28 | H01L33/44 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 杉浦 正知 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80869 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中野 一志,大畑 豊治,伊藤 哲,等. 半導体発光素子. JP3449751B2[P]. 2003-07-11. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3449751B2.PDF（75KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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