Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ装置 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 西川 幸江; 新田 康一; 岡島 正季; 渡邊 実; 板谷 和彦; 波多腰 玄一 | |
| 1999-10-29 | |
| 专利权人 | 株式会社東芝 |
| 公开日期 | 2000-01-11 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | PURPOSE:To offer a semiconductor laser with which the discontinuity of the bands of an active layer and clad layers is increased and the improvement of the temperature characteristics of the laser can be contrived. CONSTITUTION:In a semiconductor laser of a constitution wherein an n-type InGaAlP clad layer 12, an InGaP active layer 13 and a p-type InGaAlP clad layer 14 are grown in order on an n-type GaAs substrate 10 to from a double heterostructure part, a superlattice structure with a regularity in the orientation is formed in the layer 13 of the double heterostructure part and a superlattice structure is not formed in the layer 14. |
| 其他摘要 | 目的：提供一种半导体激光器，利用该半导体激光器可以增加有源层和包层的带的不连续性，并且可以设计激光器温度特性的改善。组成：在一种结构的半导体激光器中，其中n型InGaAlP包层12，InGaP有源层13和p型InGaAlP包层14在n型GaAs衬底10上依次生长为双异质结构部分地，在双异质结构部分的层13中形成具有取向的规则性的超晶格结构，并且在层14中不形成超晶格结构。 |
| 申请日期 | 1991-07-15 |
| 专利号 | JP2997573B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1991173756 |
| 公开（公告）号 | JP2997573B2 |
| IPC 分类号 | H01S | H01S5/223 | H01S5/22 | H01S5/32 | H01S5/323 | H01L33/00 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 鈴江 武彦 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79340 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西川 幸江,新田 康一,岡島 正季,等. 半導体レーザ装置. JP2997573B2[P]. 1999-10-29. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2997573B2.PDF（54KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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