Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体素子 | |
| 其他题名 | 半導体素子 |
| 岸野 克巳; 野村 一郎; 玉村 好司; 田才 邦彦; 朝妻 庸紀; 中島 博; 中村 均; 藤崎 寿美子; 紀川 健 | |
| 2010-02-25 | |
| 专利权人 | SONY CORP |
| 公开日期 | 2010-02-25 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】n型クラッド層に要求される特性を有するn型クラッド層またはp型クラッド層に要求される特性を有するp型クラッド層を備えた半導体素子を提供する。 【解決手段】n型第1クラッド層12Aにおいて、n型キャリア密度をn型第2クラッド層12Bよりも高くし、かつ層厚をn型第2クラッド層12Bよりも厚くすることにより、n型クラッド層12全体のキャリア伝導性を確保する。n型第2クラッド層12Bにおいて、伝導帯サブレベル下端を活性層14よりも高くすることにより、キャリア閉じ込めに十分な電子障壁を確保し、さらにタイプII発光を抑制する。 【選択図】図2 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供一种半导体元件，其包括具有n型覆盖层所需特性的n型覆盖层或具有p型覆盖层所需特性的p型覆盖层。ŽSOLUTION：n型第一包层12A具有比n型第二包层12B更高的n型载流子密度，并且还使得比n型第二包层12B更厚，从而确保整体的载流子导电性n型第二包层12B具有比有源层14更高的导带子电平下端，从而确保用于载流子限制的足够的电子势垒并且还抑制II型发光。Ž |
| 申请日期 | 2008-08-12 |
| 专利号 | JP2010045165A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2008207863 |
| 公开（公告）号 | JP2010045165A |
| IPC 分类号 | H01S5/22 | H01S5/327 | H01S5/347 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 藤島 洋一郎 | 三反崎 泰司 | 長谷部 政男 | 田名網 孝昭 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78882 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岸野 克巳,野村 一郎,玉村 好司,等. 半導体素子. JP2010045165A[P]. 2010-02-25. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2010045165A.PDF（64KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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