Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ素子及びその作製法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子及びその作製法 |
| 中塚 慎一; 野本 悦子; 上島 研一; 加藤 佳秋 | |
| 1999-05-28 | |
| 专利权人 | 株式会社日立製作所 |
| 公开日期 | 1999-05-28 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 高出力の窓構造半導体レーザを再現性よく実現する。 【解決手段】 端面部のレーザストライプの周辺に亜鉛拡散を行い、混晶化領域の周辺への広がりを利用して窓構造を形成する。 【効果】 他のレーザ特性を劣化させずに良好な窓構造を形成できる。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：通过一种方法增强半导体激光器件的输出功率而不会使激光器特性恶化，其中在具有天然超晶格区域的半导体的有源层中形成混合结晶窗口区域，并且杂质扩散条件是控制以便实现通过在上述区域中注入电流或光激发的发光强度设定为小于除窗口区域之外的半导体层中的发光强度但是大于特定值。解决方案：从激光谐振器边缘面部分地去除n-GaAs盖层107，以形成凹槽110，其中暴露出p型In0.5Ga0.5P层106。然后，通过溅射法沉积ZnO膜111和SiO2膜112，并且通过光刻技术处理ZnO膜111，使其仅留在激光条纹区域中的凹槽110内。从位于槽110右侧的区域以外的部分去除n型GaAs盖层107，并且留下ZnO膜111。在氢气氛中将晶片加热至600℃左右的温度，在谐振器边缘将锌从ZnO膜111扩散到n型覆层102，去除ZnO膜111，然后a再生长GaAs层113，层叠SiO 2膜，并选择n型GaAs电流阻挡层。 |
| 申请日期 | 1997-11-10 |
| 专利号 | JP1999145553A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1997306825 |
| 公开（公告）号 | JP1999145553A |
| IPC 分类号 | H04N5/91 | G11B20/12 | H01S5/00 | G11B27/02 | G11B27/034 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 小川 勝男 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78204 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中塚 慎一,野本 悦子,上島 研一,等. 半導体レーザ素子及びその作製法. JP1999145553A[P]. 1999-05-28. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1999145553A.PDF（188KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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