半導体レーザの製造方法

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	半導体レーザの製造方法
其他题名	半導体レーザの製造方法
	石野正人; 大塚信之; 冨士原潔; 鬼頭雅弘
	1993-11-12
专利权人	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
公开日期	1993-11-12
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】再現性良好にかつ容易なプロセスで低しきい値かつ低リーク電流を実現する。【構成】 (100) 面を主面とするn-InP 基板11上に方向への周期構造を有する回折格子12を形成する。SiO2膜を堆積したのちストライプ状の開口部を形成して、SiO2膜からなる絶縁膜パターン13を形成する。開口部上に、MOVPE法によりn-InGaAsP 光導波層14,InGaAsP 活性層15,p-InP クラッド層16(d=0.4 μm)およびInGaAsP マスク層17を順次積層し台形状活性層ストライプを形成する。絶縁膜パターン13を除去した後、塩酸を含む混合液でn-InP 基板11を2μmから3μmの深さでエッチングする。LPE法によりp-InP 埋め込み層18,n-InP ブロック層19,p-InP 平坦化層20およびp-InGaAsP コンタクト層21を順次エピタキシャル成長を行い埋め込み型ヘテロ構造を形成する。
其他摘要	[目的]实现低阈值，低漏电流，重复性好，工艺简单。在方向上具有周期结构的衍射光栅12形成在主表面为（100）平面的n-InP衬底11上。在沉积SiO 2膜之后，形成条形开口以形成由SiO 2膜制成的绝缘膜图案13。在该开口处，通过MOVPE顺序地堆叠n-InGaAsP光波导层14，InGaAsP有源层15，p-InP包层16（d =0.4μm）和InGaAsP掩模层17，以形成梯形有源层条带。。在去除绝缘膜图案13之后，用含有盐酸的混合溶液蚀刻n-InP衬底11至2μm至3μm的深度。通过LPE顺序地外延生长p-InP掩埋层18，n-InP阻挡层19，p-InP平坦化层20和p-InGaAsP接触层21，以形成掩埋异质结构。
申请日期	1992-04-23
专利号	JP1993299764A
专利状态	失效
申请号	JP1992104313
公开（公告）号	JP1993299764A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	宮井暎夫
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78193
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	石野正人,大塚信之,冨士原潔,等. 半導体レーザの製造方法. JP1993299764A[P]. 1993-11-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1993299764A.PDF（35KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文